一名华裔男子此前涉嫌盗取通用电气公司(GE)机密技术文件而被捕控以窃取商业机密罪，28日他在纽约北区联邦法院承认罪行，将于9月22日接受量刑，最高恐面临10年监禁以及最高25万元罚款。

根据认罪协议，42岁的隋杨(Yang Sui，姓名皆音译)报住纽约上州Niskayuna，是通用电气前员工，他承认2015年至2017年间从通用窃取多个电子文件，这些文件内包括碳化硅材质的金属氧化物半导体场效电晶体(metal-oxide semiconductor field-effect transistors，简称MOSFETs)研究、设计和制造的相关信息，碳化硅MOSFETs广泛使用于通用电气公司的产品中，如航空设备和风力涡轮机等。

根據領英網(LinkedIn)上隋楊的個人頁面信息，他在哈爾濱讀完高中後考上清華大學，攻讀材料科學，之後在愛阿華州立大學和普渡大學分別獲取碩士和博士學位，博士期間他曾擔任多個校內組織和俱樂部的主席，並從事研究助理工作；2010年10月至2018年1月，他在位於Niskayuna的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師，並發表過至少18篇學術文章。

隋楊被控竊取商業機密罪，28日認罪，將於9月22日接受量刑，最高面臨10年監禁和3年獄後監管，以及最高25萬元罰款或繳納其通過罪行所得金額2倍的罰款。

隋楊並非首位因涉嫌竊取機密被捕的通用公司華裔員工，此前還有一名通用電氣工程師鄭曉青(Xiaoqing Zheng)也涉嫌竊取機密技術文件，於2018年被捕，2019年4月被控以經濟間諜、共謀竊取商業機密等14項罪名，將面臨最高30年監禁。